[发明专利]一种砷化镓背侵的去除方法在审
| 申请号： | 201910831475.8 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110373720A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 宋向荣;周铁军;马金峰;严卫东;唐林锋;刘火阳 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/42 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋静娜 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。本发明方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵，首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓晶片 去除 清洗 化学腐蚀液 加工工序 去离子水 研磨 抛光 砷化镓 冲洗 过氧化氢 氢氧化钾 氢氧化钠 有机溶剂 浸没 浸洗 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓背侵的去除方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。
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