[发明专利]一种制备顺排碳纳米管薄膜的方法有效
申请号: | 201910831548.3 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110589804B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 韩杰;王慧 | 申请(专利权)人: | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京元芯碳基集成电路研究院 |
主分类号: | C01B32/168 | 分类号: | C01B32/168;B05D1/18;B05D7/24 |
代理公司: | 北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11859 | 代理人: | 赵星;张文武 |
地址: | 100195 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种提拉法制备碳纳米管薄膜的方法,该包括:将碳纳米管溶液注入一容器中;基底浸入所述碳纳米管溶液;沿所述基底或者所述容器的侧壁注入与所述碳纳米管溶液互不相容的第一溶液;提拉所述基底,在所述基底形成平行于双液层界面的碳纳米管薄膜。该方法具有液面下降容易控制,溶液可以反复多次利用,不存在挥发污染问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 顺排碳 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用提拉法制备碳纳米管薄膜的方法,其特征在于,包括:/nS1:将碳纳米管溶液(13)注入一容器(11)中;/nS2:将一基底(12)夹在提拉机上,并竖直浸入所述碳纳米管溶液(13)中;/nS3:沿所述基底(12)或者所述容器(11)的侧壁注入与所述碳纳米管溶液(13)互不相容的封液(14);/nS4:提拉所述基底(12),在所述基底形成平行于双液层界面的碳纳米管薄膜。/n
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