[发明专利]源极和漏极上具有不同硅化物的纳米线MOSFET有效
| 申请号： | 201910831930.4 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110620142B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;林正堂;江国诚;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米线场效应晶体管(FET)器件以及用于形成纳米线FET器件的方法。形成包括源极区和漏极区的纳米线FET。纳米线FET还包括连接源极区和漏极区的纳米线。在源极区上形成源极硅化物，并且在漏极区上形成漏极硅化物。源极硅化物由第一材料组成，该第一材料不同于漏极硅化物包括的第二材料。本发明提供了源极和漏极上具有不同硅化物的纳米线MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极上 具有 不同 硅化物 纳米 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种用于形成纳米线场效应晶体管器件的方法，所述方法包括：/n形成包括纳米线的纳米线场效应晶体管，其中，所述纳米线包括源极区的突出部和漏极区；/n在所述纳米线的侧壁上形成间隔层；/n在所述源极区上形成源极硅化物；/n从全部的纳米线上去除所述间隔层以暴露所述纳米线的侧壁、并且在所述突出部和所述源极硅化物之间形成间隔；以及/n在所述漏极区上形成漏极硅化物。/n
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