[发明专利]一种像素结构有机发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910832419.6 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110518138B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周雷;范宝路;南峰;李忠文;范媛媛 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张华蒙 |
| 地址： | 223005 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种像素结构有机发光二极管，属于有机光电显示器件技术领域，包括依次叠合设置的透明导电基底、像素化绝缘层、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极，像素化绝缘层为二维随机纳米孔阵列。本发明还公开了像素结构有机发光二极管的制备方法。本发明的一种像素结构有机发光二极管，能有效抑制OLED器件效率滚降，同时提高器件的光学出光效率，具有重复性高，适用于不同发光材料的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素结构有机发光二极管，其特征在于：包括依次叠合设置的透明导电基底(1)、像素化绝缘层(2)、第一传输层(3)、有机发光层(4)、第二传输层(5)和复合背电极(6)，所述的像素化绝缘层(2)为二维随机纳米孔阵列。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮阴工学院，未经淮阴工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910832419.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
