[发明专利]一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910832612.X | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110534909B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 贺训军;田玲;姚远;杨玉强;杨文龙;姜久兴 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01S1/02;G02B1/00;G02F1/35;G02F1/355;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 平面 结构 电偶可 切换 赫兹 材料 转换器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器，其特征在于它包括基体硅衬底(1)、梳齿型静电驱动结构(2)、固定金属结构阵列(3)、可动金属结构阵列(4)和悬浮硅框架(5)，所述梳齿型静电驱动结构(2)和悬浮硅框架(5)设置在基体硅衬底(1)上，悬浮硅框架(5)与梳齿型静电驱动结构(2)连接，且悬浮硅框架(5)悬空设置，固定金属结构阵列(3)设置在悬浮硅框架(5)内、基体硅衬底(1)上，可动金属结构阵列(4)与悬浮硅框架(5)连接、悬空设置；所述固定金属结构阵列(3)由周期性排列的结构元件组成，且固定金属结构阵列(3)的结构元件呈“E”型结构，所述可动金属结构阵列(4)由周期性排列的结构元件组成，且可动金属结构阵列(4)的结构元件呈反“E”型结构，固定金属结构阵列(3)的结构元件与可动金属结构阵列(4)的结构元件成对相对设置，由成对相对设置的固定金属结构阵列(3)的结构元件与可动金属结构阵列(4)的结构元件组成环偶与电偶可切换的太赫兹超材料的功能结构单元。/n
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