[发明专利]一种超晶格量子点结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910832706.7 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110534626A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州辰睿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01S5/028;H01L23/29;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张韬<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种超晶格量子点结构及其制作方法，旨在解决现有技术中衬底和化合物半导体材料,有着不同晶格常数和热膨胀系数,若直接生长化合物半导体材料在衬底上,会形成缺陷并进一步影响生长质量和器件性能的问题，其技术要点在于包括衬底，所述衬底上外延生长有活性层，所述活性层相对所述衬底一侧生长有一层或多层异质量子点结构；所述异质量子点结构包括间隔设置的诱导层和间隔层，位于同层的所述诱导层相比所述间隔层靠近所述衬底一侧。本发明可有效增大量子点大小，亦可抑制聚结点的形成,可有效作为光学器件或电子器件实现阻隔缺陷的钝化层，而且制作工艺成本低，不需添加任何新的工艺设备即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 化合物半导体材料 异质量子点 活性层 间隔层 诱导层 半导体器件技术 量子点结构 热膨胀系数 电子器件 工艺设备 光学器件 技术要点 间隔设置 晶格常数 器件性能 外延生长 直接生长 制作工艺 超晶格 钝化层 量子点 生长 多层 聚结 同层 阻隔 制作 | ||
【主权项】：
1.一种超晶格量子点结构，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上外延生长有活性层(2)，所述活性层(2)相对所述衬底(1)一侧生长有一层或多层异质量子点结构(3)；/n所述异质量子点结构(3)包括间隔设置的诱导层(31)和间隔层(32)，位于同层的所述诱导层(31)相比所述间隔层(32)靠近所述衬底(1)一侧。/n
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