[发明专利]高性能、宽安全工作区、高可靠性晶体管在审
| 申请号： | 201910832780.9 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110600544A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 闫守礼 | 申请（专利权）人： | 山东奥天电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L27/02;H01L27/082 |
| 代理公司： | 37205 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人： | 程静静 |
| 地址： | 262100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了高性能、宽安全工作区、高可靠性晶体管，包括若干个相互独立的子晶体管，子晶体管是由原大晶体管整个分割间隔而成，在每个子晶体管实现晶体管整体总电流的分割，使得晶体管整体各部分的温度均一，晶体管局部电流过度增长被有效抑制，多个子晶体管排列在一块单晶硅片上。具有以下优点：提高了功率晶体管的二次击穿耐量，拓宽了其安全工作区范围，加强了器件及电子产品的可靠性，延长了晶体管及整机的工作寿命，也扩展了功率晶体管的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 安全工作区 功率晶体管 单晶硅片 二次击穿 高可靠性 工作寿命 局部电流 有效抑制 总电流 分割 电子产品 均一 整机 | ||
【主权项】：
1.高性能、宽安全工作区、高可靠性晶体管，其特征在于：包括若干个相互独立的子晶体管，子晶体管是由原大晶体管整个分割间隔而成，在每个子晶体管实现晶体管整体总电流的分割，使得晶体管整体各部分的温度均一，晶体管局部电流过度增长被有效抑制，分割后多个子晶体管排列在一块单晶硅片上。/n
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