[发明专利]一种引晶引断后自动稳温工艺有效
| 申请号： | 201910833133.X | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110396716B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵国伟;王建平;周泽;王鑫;皇甫亚楠;杨志;刘学;吴树飞;刘振宇;郭志荣;王林;高润飞 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种引晶引断后自动稳温工艺，应用于直拉单晶引晶引断后进行自动稳温，包括以下步骤，S1：籽晶引断后，调节坩埚内硅溶液温度至过热温度，其中，在硅溶液温度调节过程中，籽晶自动延迟下降；S2：硅溶液温度调节至过热温度后，按照预置引晶功率进行热场功率选择，进行稳温；S3：根据细晶的长度进行籽晶下降，熔化细晶，进行过热熔接，并进行引晶。本发明的有益效果是改变传统工艺中引晶引断后的处理方式，由人为的手动操作转变为系统的全自动操作，单晶炉引晶时发生引断后，自动执行升温、降籽晶、预制引晶功率等步骤，直至执行下次自动引晶，提高拉近操作人员工作效率，降低员工工作强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引晶引 断后 自动 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种引晶引断后自动稳温工艺，其特征在于：应用于直拉单晶引晶引断后进行自动稳温，包括以下步骤，S1：籽晶引断后，调节坩埚内硅溶液温度至过热温度，其中，在所述硅溶液温度调节过程中，籽晶自动延迟下降；S2：所述硅溶液温度调节至过热温度后，按照预置引晶功率进行热场功率选择，进行稳温；S3：根据细晶的长度进行籽晶下降，熔化所述细晶，进行过热熔接，并进行引晶。
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