[发明专利]基于光选择性调控金属-二维有机无机杂化钙钛矿的太赫兹环偶超材料器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910833267.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110534910B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 贺训军;金宇航;姚远;杨玉强;杨文龙;姜久兴 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01S1/02;G02B1/00;G02F1/35;G02F1/355;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 选择性 调控 金属 二维 有机 无机 杂化钙钛矿 赫兹 环偶超 材料 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于光选择性调控金属-二维有机无机杂化钙钛矿的太赫兹环偶超材料器件，其特征在于：它自下而上包括衬底(1)、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元(2)和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿(3)；所述衬底(1)为高阻硅；所述的周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元(2)中的两个双开口金属谐振环呈中心轴对称，且均为正方形结构；所述二维有机无机杂化钙钛矿为(PEA)2(MA)n-1PbnI3n+1或者(BA)2(MA)n-1PbnI3n+1，其中n>1。/n
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