[发明专利]在镁合金表面制备MgZn2 有效
申请号: | 201910835044.9 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110512175B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 苏旭平;杨昊妤;刘亚;王建华;吴长军;涂浩;彭浩平 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种在镁合金表面制备MgZn |
||
搜索关键词: | 镁合金 表面 制备 mgzn base sub | ||
【主权项】:
1.一种在镁合金表面制备MgZn2、Zn和氧化物三层防腐薄膜的方法,其特征在于:包括步骤如下:/n(1)将表面预处理过后的镁合金,及装有纯度为99.99%的锌的坩埚放入真空蒸镀装置内,然后抽真空至真空度≥1×10-3MPa;/n(2)将步骤(1)中的锌加热到400℃-500℃,镁合金保持在常温状态,锌蒸发到镁合金表面形成Zn膜,蒸镀完成后镁合金在真空状态下自然冷却;/n(3)将步骤(2)中表面蒸镀有Zn膜的镁合金真空密封在石英管内,然后将石英管放入箱式炉中,使镁合金在250℃-350℃的真空状态退火,使在Zn膜与镁合金介面之间生成MgZn2化合物层;/n(4)将步骤(3)中退火完成后的镁合金密封在放有金属单质及该金属单质形成的金属氧化物的石英管中,然后在300℃~400℃条件下保温1~2h,使在Zn膜表面反应生成氧化物薄膜,所述金属单质比Zn难被氧化,金属单质及该金属单质形成的金属氧化物用于提供氧压,所述氧压大于10-40atm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910835044.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类