[发明专利]在镁合金表面制备MgZn2有效

专利信息
申请号: 201910835044.9 申请日: 2019-09-05
公开(公告)号: CN110512175B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 苏旭平;杨昊妤;刘亚;王建华;吴长军;涂浩;彭浩平 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种在镁合金表面制备MgZn2、Zn和氧化物三层防腐薄膜的方法。本发明是真空状态下在镁合金表面蒸镀上一层Zn薄膜,镁合金和锌薄膜通过退火在界面处相互生成耐腐蚀的金属间化合物。然后将镁合金进行选择性氧化,锌和镁合金中的部分合金元素扩散到表面发生氧化反应生成氧化膜。金属间化合物、锌薄膜以及氧化膜同时覆盖在镁合金表面,可以有效阻止腐蚀的发生。
搜索关键词: 镁合金 表面 制备 mgzn base sub
【主权项】:
1.一种在镁合金表面制备MgZn2、Zn和氧化物三层防腐薄膜的方法,其特征在于:包括步骤如下:/n(1)将表面预处理过后的镁合金,及装有纯度为99.99%的锌的坩埚放入真空蒸镀装置内,然后抽真空至真空度≥1×10-3MPa;/n(2)将步骤(1)中的锌加热到400℃-500℃,镁合金保持在常温状态,锌蒸发到镁合金表面形成Zn膜,蒸镀完成后镁合金在真空状态下自然冷却;/n(3)将步骤(2)中表面蒸镀有Zn膜的镁合金真空密封在石英管内,然后将石英管放入箱式炉中,使镁合金在250℃-350℃的真空状态退火,使在Zn膜与镁合金介面之间生成MgZn2化合物层;/n(4)将步骤(3)中退火完成后的镁合金密封在放有金属单质及该金属单质形成的金属氧化物的石英管中,然后在300℃~400℃条件下保温1~2h,使在Zn膜表面反应生成氧化物薄膜,所述金属单质比Zn难被氧化,金属单质及该金属单质形成的金属氧化物用于提供氧压,所述氧压大于10-40atm。/n
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