[发明专利]一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件有效
申请号: | 201910835471.7 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110515224B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 贺训军;王越;田玲;杨文龙;杨玉强;姜久兴 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015;H01Q15/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件,涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带,可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层,二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构,石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构,两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 双带可 灵活 选择性 调控 石墨 金属 材料 赫兹 器件 | ||
【主权项】:
1.一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件,其特征在于它包括太赫兹慢光器件功能结构、二氧化硅绝缘层(2)、硅衬底(1)以及栅电极结构;/n所述太赫兹慢光器件功能结构由周期性排列的超材料结构单元组成,所述超材料结构单元由图形化金属槽结构(4)和图形化两石墨烯带结构(3)组成,图形化两石墨烯带结构(3)上设置图形化金属槽结构(4);所述栅电极结构由第一金属电极Pad1(5)和第二金属电极Pad2(6)组成,所述的硅衬底(1)上设置有二氧化硅绝缘层(2),二氧化硅绝缘层(2)上设置有图形化两石墨烯带结构(3),所述图形化两石墨烯带结构(3)是周期性排列;第一金属电极Pad1(5)和第二金属电极Pad2(6)分别设置在所述太赫兹慢光器件上端面的两侧,周期性排列的图形化两石墨烯带结构(3)分别与第一金属电极Pad1(5)和第二金属电极Pad2(6)连接;/n沿第一金属电极Pad1(5)至第二金属电极Pad2(6)方向,太赫兹慢光器件中的左侧石墨烯长条是由第一石墨烯带结构(3-1)互连而成,并与第一金属电极Pad1(5)连接形成第一电极;沿第二金属电极Pad2(6)至第一金属电极Pad1(5)方向,太赫兹慢光器件中对应的右侧石墨烯长条是由第二石墨烯带结构(3-2)互连而成,并与第二金属电极Pad2(6)连接形成第二电极;其中连接左侧石墨烯长条的金属线和连接右侧石墨烯长条的金属线不相连,第一电极和第二电极不同;/n所述图形化金属槽结构(4)由两对水平设置的金属槽和一个竖直设置的金属槽组成,所述两对水平设置的金属槽设置在竖直设置的金属槽的两侧,沿所述超材料结构单元中心线,两对水平设置的金属槽水平方向对称,垂直方向不对称;所述竖直设置的金属槽有一条沿槽中心线贯穿超材料结构单元的竖直缝隙;所述图形化两石墨烯带结构(3)的尺寸为长度相同和宽度不同,分别垂直设置在两对水平设置的金属槽下面,沿所述超材料结构单元的中心线,垂直设置的图形化两石墨烯带结构(3)水平方向对称,垂直方向不对称;金属超材料结构相邻单元之间均有一条竖直的缝隙。/n
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