[发明专利]IGZO薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置在审
| 申请号： | 201910836247.X | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690292A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李展 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明披露一种IGZO薄膜晶体管，其通过在IGZO薄膜晶体管的顶部和钝化层的顶部均构建一纳米级栅沟槽结构，以改善IGZO薄膜晶体管的抗液体侵蚀能力，并且提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液体侵蚀 钝化层 纳米级 栅沟槽 构建 | ||
【主权项】：
1.一种IGZO薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n一衬底基板；/n一栅极层，设于所述衬底基板上；/n一栅极绝缘层，设于所述栅极层上；/n一IGZO有源层，设于所述栅极绝缘层；/n一第一保护层，位于所述IGZO有源层的顶部；/n源极和漏极，设于所述第一保护层上；以及/n一钝化层，覆盖在所述源极、所述漏极和所述第一保护层上；/n其中，所述第一保护层具有纳米图案结构。/n
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