[发明专利]一种超结LIGBT功率器件有效
| 申请号： | 201910836726.1 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110444590B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 章文通;杨昆;何俊卿;王睿;张森;乔明;王卓;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结LIGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向IGBT的阳极电阻区内引入第二导电类型掺杂层，来控制电流在阳极电阻区的流动路径，进而控制阳极电阻区的压降，这样就能抑制LIGBT的snapback现象，这种通过精准控制阳极电阻区电阻阻值的结构并未增加工艺的制造难度，因而可以在不改变工艺的基础上，实现精准抑制LIGBT的snapback现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ligbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种超结LIGBT功率器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、埋氧化层(2)、SOI层(3)和平面栅结构；SOI层(3)中具有漂移区(4)、第一导电类型轻掺杂区(5)、阴极阱区(15)、第一导电类型重掺杂阴极区(9)、第二导电类型重掺杂阴极区(10)、第二导电类型重掺杂阳极区(17)、第一导电类型重掺杂阳极区(18)、第一导电类型掺杂层(7)和第二导电类型掺杂层(8)；阴极阱区(15)和第一导电类型轻掺杂区(5)位于漂移区(4)的两侧，第一导电类型轻掺杂区(5)位于漂移区(4)和SOI层(3)之间；第一导电类型重掺杂阴极区(9)和第二导电类型重掺杂阴极区(10)侧面相互接触的位于阴极阱区(15)的上端中远离漂移区(4)的一侧；第二导电类型重掺杂阳极区(17)和第一导电类型重掺杂阳极区(18)侧面相互接触的位于漂移区(4)的上端中远离阴极阱区(15)的一侧；第一导电类型掺杂层(7)和第二导电类型掺杂层(8)侧面相互接触的交替设置在部分漂移区(4)中，且位于第二导电类型重掺杂阳极区(17)的一侧，第一导电类型掺杂层(7)和第二导电类型掺杂层(8)的接触面与第二导电类型重掺杂阳极区(17)和第一导电类型重掺杂阳极区(18)的接触面垂直；第一导电类型重掺杂阳极区(18)还位于SOI层(3)的上端，平面栅结构位于部分第一导电类型重掺杂阴极区(9)、阴极阱区(15)和漂移区(4)上，在平面栅结构上还设置有栅极金属(11)，在第一导电类型重掺杂阴极区(9)和第二导电类型重掺杂阴极区(10)上还设置有阴极金属(12)，在第二导电类型重掺杂阳极区(17)和第一导电类型重掺杂阳极区(18)上还设置有阳极金属(13)；其特征在于，第二导电类型掺杂层(8)还均匀的设置在第一导电类型轻掺杂区(5)中，第二导电类型掺杂层(8)和第一导电类型轻掺杂区(5)的接触面与第一导电类型掺杂层(7)和第二导电类型掺杂层(8)的接触面平行。
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