[发明专利]多层复合基板结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910836789.7 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110600436A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 方天琦 | 申请（专利权）人： | 方天琦 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11718 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张卓 |
| 地址： | 100044 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层复合半导体基板结构及其制作方法，该结构包括一高质量单晶外延层，一高质量单晶外延种子层、一键合界面层和一低质量单晶支撑基板层；外延种子层通过键合转移或薄化等方法至单晶支撑基板层之上，可以用于外延层的外延。该多层复合半导体基板的主体为低质量单晶支撑基板层，在通过高质量外延薄层实现功能的同时，可显著降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑基板 单晶 高质量单晶 多层复合 外延层 种子层 半导体基板结构 半导体基板 键合界面层 薄层 薄化 键合 制作 | ||
【主权项】：
1.一种多层复合半导体基板结构，该复合基板结构包括一高质量的单晶外延层，一高质量的单晶外延种子层、一键合界面层和一低质量单晶支撑基板，其中：/n该单晶外延种子层通过一键合界面层与一单晶支撑基板键合，该键合界面层形成于外延种子层与单晶支撑基板的键合工艺，位于外延种子层与单晶支撑基板之间，外延层生长于外延种子层之上，且可包含形核层和缓冲层。/n
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