[发明专利]吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910837328.1 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690314B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 倍增 分离 结构 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器包括：/n衬底；/n第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；/n倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；/n吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；/n欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；/n上电极层，位于所述欧姆接触层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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