[发明专利]半导体结构的检测方法及其检测装置有效
| 申请号： | 201910837418.0 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110751622B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 魏强民;卢世峰;夏志良;周阳;张正飞;骆中伟;何佳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/62;G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的检测方法及检测装置。该检测方法包括获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，截面图形所在平面垂直于孔的轴向；识别孔的多个边界点，获得多个边界点对应的多个边界点坐标，并根据多个边界点坐标获得孔的中心点坐标；根据边界点坐标进行椭圆的数值拟合；在椭圆的径向方向上，获得n个孔的边界点到拟合的椭圆的边界点的距离，并计算n个距离的平均值，平均值作为孔的刻痕度，用于衡量孔的刻蚀质量；以及建立刻痕度与至少一个电学性能参数的关系对照表，并根据对照表判断孔是否满足质量要求。该检测方法达到了量化孔的刻蚀质量对电学性能影响的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 检测 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，包括：/n获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，所述截面图形所在平面垂直于所述孔的轴向；/n识别所述孔的多个边界点，获得所述多个边界点对应的多个边界点坐标，并根据所述多个边界点坐标获得所述孔的中心点坐标；/n根据所述边界点坐标进行椭圆的数值拟合；/n在所述椭圆的径向方向上，获得n个所述孔的边界点到拟合的所述椭圆的边界点的距离，并计算n个距离的平均值，将所述平均值作为所述孔的刻痕度，用于衡量所述孔的刻蚀质量；以及/n建立所述刻痕度与至少一个电学性能参数的关系对照表，并根据所述对照表判断所述孔是否满足质量要求，/n其中，n为大于1的整数。/n
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