[发明专利]一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910837847.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110699639B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;郭艳欣;熊爱虎;詹放;阴树标;曹建春;黎敬涛 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/58;C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 杨金贤 |
| 地址： | 650000 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜材料制备技术领域，尤其涉及一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜由ZnS层、Sn层和ZnO层依次排列构成三明治结构，具有优异的光学吸收能力且其高光吸收系数一直保持到可见光区(次强度吸收峰位于可见光区)；带隙窄、响应速度快。本发明使用的ZnS、Sn和ZnO半导体材料的晶格错配度小，所得ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料的内应力及缺陷较小；且以ZnO致密薄膜为包覆层起到了保护内部不易被氧化，从而延长了薄膜材料的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zns sn zno 结构 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。/n
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