[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法

摘要

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；位于衬底上的第一外延层，该第一外延层为重掺杂外延层；位于第一外延层上的第二外延层，该第二外延层为轻掺杂外延层，或者，该第二外延层为由至少一层轻掺杂外延层和至少一层重掺杂外延层构成的双层或多层结构；位于第二外延层上或者形成于第二外延层中的欧姆接触层，该欧姆接触层为图形化的重掺杂层；其中，欧姆接触层形成于第二外延层中时，欧姆接触层的上表面不低于第二外延层的上表面，且，欧姆接触层的下表面高于第二外延层的下表面；位于欧姆接触层上的第一金属电极层。本申请能够提高紫外探测器的量子效率。

主权项

1.一种紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器包括：/n衬底；/n第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；/n第二外延层，位于所述第一外延层上，所述第二外延层为轻掺杂外延层，或者，所述第二外延层为由至少一层轻掺杂外延层和至少一层重掺杂外延层构成的双层或多层结构；/n欧姆接触层，位于所述第二外延层上或者形成于所述第二外延层中，所述欧姆接触层为图形化的重掺杂层；其中，所述欧姆接触层形成于所述第二外延层中时，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第二外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第二外延层的下表面；/n第一金属电极层，位于所述欧姆接触层上。/n