[发明专利]一种背照式近红外像素单元及其制备方法

摘要

本发明公开的一种背照式近红外像素单元的制备方法，包括如下步骤：S01：准备一衬底，在所述衬底表面外延生成第一外延层，并在第一外延层表面形成第一对准标记；S02：在第一外延层表面外延生成第二外延层，并在第二外延层表面形成与第一对准标记对准的第二对准标记；S03：重复步骤S02直至生成第N外延层和第N对准标记；S04：在第N外延层表面形成正面器件；S05：将上述衬底倒置，并将正面器件和载片键合；S06：去除衬底，暴露出第一外延层；在暴露出来的第一外延层表面形成背面器件，背面器件通过第一外延层、第二外延层直至第N外延层与正面器件对准。本发明提供的一种背照式近红外像素单元及其制备方法，能够提高背照式近红外像素单元的外延层厚度。

主权项

1.一种背照式近红外像素单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS01：准备一衬底，在所述衬底表面外延生成第一外延层，并在所述第一外延层表面通过刻蚀形成第一对准标记；/nS02：在所述第一外延层表面外延生成第二外延层，并在所述第二外延层表面通过刻蚀形成与所述第一对准标记对准的第二对准标记；/nS03：重复步骤S02直至生成第N外延层和第N对准标记；其中，第M对准标记和第M-1对准标记对准；N为大于1的正整数；M为大于1小于等于N的正整数；/nS04：在所述第N外延层表面形成正面器件，且所述正面器件和所述第N对准标记对准；/nS05：将上述形成的衬底、第一外延层、第二外延层直至第N外延层以及正面器件整体倒置，并将所述正面器件和载片键合；/nS06：去除所述衬底，暴露出所述第一外延层；在暴露出来的所述第一外延层表面形成背面器件，且所述背面器件与所述第一对准标记对准，从而使得所述背面器件通过第一外延层、第二外延层直至第N外延层与所述正面器件对准。/n