[发明专利]一种双导通型碳化硅光导开关及其制备方法有效
| 申请号： | 201910838160.6 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110600578B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖龙飞;陈秀芳;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0232;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双导通型碳化硅光导开关及其制备方法，该光导开关包括碳化硅衬底，碳化硅衬底的上表面的两侧分别设置有电极，电极与碳化硅衬底之间通过设置高掺杂的外延层或离子注入或退火形成欧姆接触，电极之间的电流通道区域上设置有图形化刻蚀处理的图形；当激光触发光导开关后，光生载流子使得光导开关产生第一次导通，电流通道区域上图形化刻蚀处理的图形引起表面闪络引起放电，产生第二次导通，实现一次激光触发两次导通。本发明提供的双导通型碳化硅光导开关通过图形化处理电极之间的电流通道区域，使得初级能量更加充分释放，并且一次触发两次导通，且在触发频率上有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双导通型 碳化硅 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双导通型碳化硅光导开关，包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的上表面的两侧分别设置有电极，其特征在于，所述电极与碳化硅衬底之间通过设置高掺杂的外延层或离子注入或退火形成欧姆接触，所述电极之间的电流通道区域上设置有图形化刻蚀处理的图形；当激光触发光导开关后，光生载流子使得光导开关产生第一次导通，所述电流通道区域上图形化刻蚀处理的图形引起表面闪络引起放电，产生第二次导通，实现一次激光触发两次导通。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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