[发明专利]一种快速沉淀制备一维碳酸钴的方法在审
| 申请号： | 201910840052.2 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110540251A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 侴术雷;赖伟鸿;李用成;李东祥;李亚书;宫毅涛 | 申请（专利权）人： | 辽宁星空钠电电池有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/06 | 分类号： | C01G51/06 |
| 代理公司： | 21246 鞍山顺程商标专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 范伟琪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 114014 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快速沉淀制备一维碳酸钴的方法，该方法在制备材料中具有高效、快速、简洁等多种优秀特征，克服了沉淀反应的快速析晶导致的调控一维纳米材料的巨大挑战性，制备出一维纳米材料CoCO3，利用碳酸钠（Na2CO3）为沉淀剂快速沉淀出目标材料。NaHC2O4具有低解离系数，可以缓慢的释放出CO32‑离子，平衡材料的生长速度和扩散速度，使得材料在生长过程中可以定向的按照一维方向生长。本发明提供一种具有优异性能的CoCO3纳米棒的形貌和物相调控方法。该方法具有成本低、反应速率快、反应温和易控、节能环保、产物纯度高且形貌新颖等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 形貌 一维纳米材料 快速沉淀 制备 产物纯度 沉淀反应 节能环保 目标材料 平衡材料 生长过程 物相调控 优异性能 制备材料 生长 沉淀剂 纳米棒 碳酸钠 碳酸钴 解离 析晶 离子 扩散 释放 调控 | ||
【主权项】：
1.一种快速沉淀制备一维碳酸钴的方法，本方法以硝酸钴（Co(NO3)2）和碳酸钠（Na2CO3）为原料，水为溶剂，利用液相沉淀法进行合成，通过如下技术方实现：/n步骤一，在20-30℃下，将15-20 mL浓度为0.024-0.03 mol/L Co(NO3)2和15-20 mL浓度为0.062-0.07 mol/LNa2CO3分别以300-500 r/min持续搅拌，得到硝酸钴水溶液和碳酸钠水溶液；/n步骤二，将硝酸钴水溶液加热升温至60-80℃，然后将碳酸钠水溶液加入到硝酸钴水溶液中，继续搅拌，即可见大量粉红色沉淀物析出；/n步骤三，将析出的粉红色沉淀物与水按2-4:6-8的比例混合超声30min后以3000-5000r/min高速离心5-15min，并重复2-3次；/n步骤四，将离心后的粉红色沉淀物清洗2-3次后，置于（-10）-（-15）℃下冷冻，冷冻20-24小时后，将凝固的沉淀物固体用冷冻干燥机进行干燥，干燥的温度为（-30）-（-35）℃，干燥时间为48-72小时，即得目标产物一维碳酸钴。/n
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