[发明专利]一种嵌入多晶硅电阻的双面自对准刻蚀硅悬臂梁阵列热电变换器在审
申请号: | 201910840093.1 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN110589755A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 袁寿财;武华;李梦超;王兴权;韩建强 | 申请(专利权)人: | 赣南师范大学 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 341000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 采用正面刻蚀深槽,深槽底面和侧面采用先进的倾斜离子注入工艺掺杂浓硼刻蚀终止层。结合晶向刻蚀选择特性,实现刻蚀自对准。并在单晶硅悬臂梁的根部区域制作了应力感应测试多晶硅电阻。硅悬臂梁比其它材料有更大的形变应力特性。将待测电功率输入制作在悬臂梁应力敏感区域的多晶硅加热电阻,该电阻将把输入电功率转换成相应量值的热量,引起悬臂梁温度升高,导致悬臂梁产生谐振,并在其根部区域表现出极大的应力变化特性,引起多晶硅导电载流子迁移率的变化,导致多晶硅电阻阻值变化,通过检测流过该电阻电流的变化信息测算导致应力变化和谐振频率变化的温度参数,间接测量输入加热电阻电功率的值,实现高精度的热电转换功能。 | ||
搜索关键词: | 悬臂梁 刻蚀 电功率 多晶硅电阻 根部区域 应力变化 深槽 多晶硅加热电阻 单晶硅 导电载流子 刻蚀终止层 输入电功率 谐振 变化信息 电阻电流 硅悬臂梁 加热电阻 间接测量 敏感区域 频率变化 倾斜离子 热电转换 温度参数 形变应力 应力感应 阻值变化 多晶硅 迁移率 自对准 底面 电阻 晶向 浓硼 制作 掺杂 测试 测算 侧面 转换 检测 表现 | ||
【主权项】:
1.选用p型硅衬底,在硅片正面刻蚀深槽(Trench)结构,并在槽底面和侧面离子注入掺杂浓硼(B),利用重掺杂p型硅刻蚀时具有的高刻蚀选择比特性,实现刻蚀终止;另外,硅材料在不同晶向,其刻蚀速率不同,也能获得一定的刻蚀选择比,并自动形成刻蚀终止图形;相比于传统采用复杂且昂贵的双面光刻套准设备制作MEMS器件;本发明实现了只正(单)面光刻,实现正面和背面(双面)自对准刻蚀工艺制作的硅悬臂梁阵列热电转换器。/n
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