[发明专利]抗辐照器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910840776.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110610983A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翟亚红;李珍 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 抗辐照器件及制备方法，涉及电子器件技术。本发明的抗辐照器件包括辐照敏感氧化层及硅衬底，其特征在于，所述硅衬底和辐照敏感氧化层之间设置有超薄氧化层和正电荷抑制层，且按照硅衬底、超薄氧化层、正电荷抑制层、辐照敏感氧化层的顺序重叠设置。本发明通过削弱二氧化硅与硅界面处捕获的正电荷的电场，从而降低二氧化硅的表面态Dit，达到抗电离辐照的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 硅衬底 氧化层 正电荷 超薄氧化层 二氧化硅 辐照器件 抑制层 敏感 电场 电子器件 重叠设置 表面态 硅界面 电离 制备 捕获 削弱 | ||
【主权项】：
1.抗辐照器件，包括辐照敏感氧化层及硅衬底，其特征在于，所述硅衬底和辐照敏感氧化层之间设置有超薄氧化层和正电荷抑制层，且按照硅衬底、超薄氧化层、正电荷抑制层、辐照敏感氧化层的顺序重叠设置。/n
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