[发明专利]一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201910840864.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110550964B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 史国栋;周文雅;武湛君;王亨利;宋健 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/81 | 分类号： | C04B35/81;C04B38/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法，属于多孔陶瓷技术领域。所述的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷采用平行排列的SiC基陶瓷层作为基体，SiC基陶瓷层间存在层状贯通孔，大量AlN晶须端部粘附在SiC基陶瓷层表面并向层状贯通孔中伸出。这些AlN晶须相互交叉在层状贯通孔中形成三维网状结构，从而能够提高层状多孔SiC陶瓷的比表面积，并可以实现对SiC基陶瓷层的有效支撑，增加层状多孔SiC陶瓷的强度。本发明的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷的比表面积和压缩强度明显增加，能显著提高层状多孔SiC陶瓷的使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 增强 层状 多孔 sic 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷，其特征在于，所述的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷采用平行排列的SiC基陶瓷层作为基体，SiC基陶瓷层间存在层状贯通孔，大量AlN晶须端部粘附在SiC基陶瓷层表面并向层状贯通孔中伸出；这些AlN晶须相互交叉在层状贯通孔中形成三维网状结构；/n所述的SiC的基陶瓷层主要由SiC和Al
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910840864.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
