[发明专利]LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构在审
申请号: | 201910841593.7 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN110556414A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 赵发展;蔡小五;淮永进;周祥兵 | 申请(专利权)人: | 扬州江新电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 32102 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 董旭东 |
地址: | 225003 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及微电子电路领域内的一种LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构,包括依次设置的Si层、封装层和P型衬底,在P型衬底上形成有DNW,在DNW里形成有两个高压PX和一个NX,NX位于两个高压PX之间,在PX区域和NX区域内依次注入形成有P+、N+、N+、N+、P+区域,位于中间的N+区域跨越NX区域并嵌入PX区域,T1、T2为引出端,从T1到T2,P+、PX、NX、PX、N+构成正向ESD电流泄放路径SCR1,从T2到T1,P+、PX、NX、PX、N+构成反方向ESD电流泄放路径SCR2。本发明具有较低的触发电压和维持电压,能耗较小,具有双向保护的功能。 | ||
搜索关键词: | 衬底 泄放 射频功率器件 微电子电路 保护结构 触发电压 双向保护 维持电压 依次设置 反方向 封装层 引出端 正向 嵌入 能耗 | ||
【主权项】:
1.一种LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构,其特征在于:包括依次设置的Si层、封装层和P型衬底,在P型衬底上形成有DNW,在DNW里形成有两个高压PX和一个NX, NX位于两个高压PX之间,在PX区域和NX区域内依次注入形成有P+、N+、N+、 N+、 P+区域,位于中间的N+区域跨越NX区域并嵌入PX区域, T1、T2为引出端,从T1到T2,P+、PX、NX、PX、N+构成正向ESD电流泄放路径SCR1,从T2到T1,P+、PX、NX、PX、N+构成反方向ESD电流泄放路径SCR2。/n
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