[发明专利]用于清洁INGAAS(或III-V族)基板的方法和解决方案在审
| 申请号： | 201910841688.9 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110676194A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 春·燕;鲍新宇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/02;H01L21/306;B08B5/00 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所述的实施方式大体涉及针对在III‑V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层，第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl | ||
| 搜索关键词： | 处理气体 基板表面 氢源 移除 反应性表面 原生氧化物 惰性气体 反应性层 沟道材料 清洁基板 外延生长 烘烤 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的处理系统，包括：/n传送腔室；/n第一腔室，所述第一腔室耦接至所述传送腔室；/n第二腔室，所述第二腔室耦接至所述传送腔室；/n装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；/n晶片传送机构，所述晶片传送机构设置在所述传送腔室内，所述晶片传送机构能够在所述第一腔室或所述第二腔室与所述装载锁定腔室之间传送晶片；和/n晶片对准腔室，所述晶片对准腔室将所述装载锁定腔室连接至所述传送腔室。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
