[发明专利]具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910841901.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110620053B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡琨辰;匡自亮 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L25/18 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S10、提供载板和若干芯片，采用塑封料将芯片封装于载板的一侧，然后移除载板，使芯片的正面外露于塑封料；S20、提供激光开孔阻挡层和介电层，将激光开孔阻挡层贴于芯片的正面以及将介电层贴于激光开孔阻挡层上，对介电层进行激光开孔处理以形成通孔，并移除通孔处的激光开孔阻挡层，使芯片的I/O接口外露；S30、制作种子层和再布线层，将芯片电性引出与金属凸块焊接。本发明通过在介电层与芯片之间贴附激光开孔阻挡层，可以避免激光开孔直接打到芯片I/O破坏芯片或者激光开孔不彻底影响电性连接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 激光 阻挡 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10、提供载板和若干芯片，采用塑封料将所述芯片封装于所述载板的一侧，然后移除所述载板，使所述芯片的正面外露于所述塑封料；/nS20、提供激光开孔阻挡层和介电层，将所述激光开孔阻挡层贴于所述芯片的正面以及将所述介电层贴于所述激光开孔阻挡层上，对所述介电层进行激光开孔处理以形成通孔，并移除通孔处的激光开孔阻挡层，使所述芯片的I/O接口外露；/nS30、制作种子层和再布线层，将所述芯片电性引出与金属凸块焊接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
