[发明专利]一种MEMS-IDT加速度传感器有效
| 申请号： | 201910842007.0 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112462091B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王文;范淑瑶;薛蓄峰;梁勇;刘梦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;G01P15/09;G01P15/097;G01P1/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;武玥 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS‑IDT加速度传感器，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子。所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁。所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层。其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面。该加速度传感器通过MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SAW相结合，解决了传统MEMS加速度传感器的大温漂问题，并具有微纳体积、高灵敏度和低功耗等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems idt 加速度 传感器 | ||
【主权项】：
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