[发明专利]金属栅极的形成方法在审
| 申请号： | 201910842011.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110634800A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 钮锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅极的形成方法，在NMOS的TiAl沉积后，增加一次回刻工艺，刻蚀掉金属栅极顶部功函数层，形成一个喇叭口形状，从而增大后续栅极金属填充的工艺窗口，降低金属栅极填充的缺陷，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极 填充 喇叭口形状 工艺窗口 功函数层 栅极金属 回刻 刻蚀 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅极的形成方法，是在后栅极工艺中形成金属栅极的制造工艺，其特征在于：包含：/n第一步，虚拟多晶硅栅极去除后，先沉积一层TiN作为PMOS的功函数层，然后通过刻蚀去除掉NMOS区域的TiN层；/n第二步，再沉积一层TiAl作为NMOS的功函数层；/n第三步，在晶圆表面沉积一层有机材料，利用其良好的填充性，填充到金属栅极中；/n第四步，第一次刻蚀，进行有机材料回刻工艺，打开金属栅极顶部区域；/n第五步，第二次刻蚀，去除掉金属栅极顶部10-20nm的TiN及TiAl功函数层；/n第六步，去除剩余的有机材料；/n第七步，金属栅极Al填充；/n第八步，金属栅极Al 化学机械研磨CMP。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
