[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管有效
| 申请号： | 201910842029.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110534567B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;谯彬;肖紫嫣;高吴昊;夏云;周琪钧 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管。本发明对常规N型碳化硅GTO的门极区进行改造，在常规的器件P‑门极层13结构下增加了一层掺杂浓度比P‑门极层与N‑漂移区都要高的P型外延层，即(P+gate buffer层)，由于P+门级缓冲层12的存在，一方面可以在门极区快速降低电场强度，避免器件发生串通击穿；另一方面P+门级缓冲层12的存在使得P‑门极层的厚度和掺杂浓度可以明显降低，同时P+门级缓冲层12由于浓度差会形成电场，从而加速N+阴极区7电子的注入，从而获得较快的导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 门极可关断 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅门极可关断晶闸管，其元胞结构包括阴极结构、漂移区结构、门极结构和阳极结构；所述阳极结构包括P型衬底(2)和位于P型衬底(2)下表面的阴极金属(1)；所述漂移区结构包括N-漂移区(4)和位于N-漂移区(4)下表面的N+场截止层(3)；其特征在于，在漂移区结构和阳极结构之间还具有P+衬底缺陷抑制缓冲层(11)，即P+衬底缺陷抑制缓冲层(11)位于N+场截止层(3)和P型衬底(2)之间；所述门极结构包括P+门极缓冲层(12)、P-门极层(13)、P+门极重掺杂区(6)、门极金属(8)和P+门极缓冲层(12)；所述P+门极缓冲层(12)位于N-漂移区(4)上表面，P-门极层(13)位于P+门极缓冲层(12)上表面，P+门极重掺杂区(6)位于P-门极层(13)上层一侧，门极金属(8)覆盖P+门极重掺杂区(6)上表面，并向两侧延伸至P-门极层(13)上表面；所述阴极结构包括N+阴极区(7)以及位于N+阴极区(7)上表面的金属层(9)；N+阴极区(7)位于P-门极层(13)上表面远离门极金属(8)的一端；/n所述的P+门极缓冲层(12)的掺杂浓度高于N-漂移区(4)和P-门极层(13)的掺杂浓度，用于使得P-门极层(13)避免穿通击穿并承受更大的电压。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910842029.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
