[发明专利]三维存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910842224.X | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110534527B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李治昊;夏志良;周文犀;张帜;张中 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠层，所述堆叠层包括核心区域以及围绕所述核心区域外围分布的阶梯区域；形成若干分区阶梯结构区于所述阶梯区域；形成沿第一方向排列的多个子分区结构于所述分区阶梯结构区，多个所述子分区结构的高度沿所述第一方向渐变，所述第一方向为所述阶梯区域指向所述核心区域的方向。本发明能够减少掩模版的数量以及刻蚀的次数，从而简化三维存储器的制造工艺、降低三维存储器的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底，所述衬底上具有堆叠层，所述堆叠层包括核心区域以及围绕所述核心区域外围分布的阶梯区域；/n形成若干分区阶梯结构区于所述阶梯区域；/n形成沿第一方向排列的多个子分区结构于所述分区阶梯结构区，多个所述子分区结构的高度沿所述第一方向渐变，且每一所述子分区结构均包括多个高度不同的分区，每一所述分区包括沿所述第一方向延伸的多级阶梯，所述第一方向为所述阶梯区域指向所述核心区域的方向。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
