[发明专利]一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备有效
| 申请号： | 201910842365.1 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN111725394B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 吕飞;叶力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 单元 加工 方法 随机 存储器 设备 | ||
【主权项】：
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