[发明专利]刻蚀设备在审
申请号: | 201910842526.7 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN112466774A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 郭梦龙;鲁伟明;刘瑞珉;李华;刘继宇 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种刻蚀设备,包括滚轴式传送机,沿所述滚轴式传送机的传送方向顺次设置有第一碱液槽和第一水洗槽,所述第一碱液槽和所述第一水洗槽位于所述滚轴式传送机的下方;所述第一碱液槽与所述第一水洗槽之间设置有第一喷淋装置,所述第一喷淋装置位于所述滚轴式传送机下方,所述第一喷淋装置具有多个向上设置的第一喷液口。上述方案,可以防止残留碱液在电池片及滚轴式传送机的滚轴上结晶,避免因结晶而造成后续水洗不能彻底清洗,及滚轴上结晶对滚轴式传送机造成伤害的问题。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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