[发明专利]一种原位自生铝硅梯度复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910842534.1 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110551927B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李发国;施东明;胡孝愿 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C22C21/04 | 分类号： | C22C21/04;C22C1/03;H01L23/29 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411105 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种原位自生铝硅梯度复合材料及其制备方法。本发明所述的原位自生铝硅梯度复合材料是：硅含量自表面到芯部逐渐减少而形成的由外层过共晶高硅组织层逐渐过渡到内部共晶铝硅组织层或由外层过共晶高硅组织层过渡到共晶铝硅组织层再过渡到亚共晶铝硅组织层或由外层过共晶高硅组织层过渡到共晶铝硅组织层再过渡到亚共晶铝硅组织层最后芯部为纯铝层的梯度复合材料，该材料各组织层平滑过渡，无明显界面。针对铝硅梯度复合材料中存在块状初晶硅及针状共晶硅的问题。本发明先在纯铝液中加入镧或铈变质剂，再与二氧化硅反应得到铝硅梯度复合材料，从而改善初晶硅及共晶硅形貌，最终得到圆头短棒状或圆头粒状的初晶硅及共晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 自生 梯度 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原位自生铝硅梯度复合材料，其特征在于：硅含量自表面到芯部逐渐减少而形成的至少是由外层过共晶高硅组织逐渐过渡到内部共晶铝硅组织或者由外层过共晶高硅组织过渡到共晶铝硅组织再过渡到亚共晶铝硅组织或者由外层过共晶高硅组织过渡到共晶铝硅组织再过渡到亚共晶铝硅组织最后芯部为纯铝的梯度复合材料；按百分含量，表面硅含量最高可达60%以上，芯部硅含量最低为零，并通过添加镧或者铈变质合金元素改善共晶硅或者过共晶硅形貌，优化材料的力学性能。/n
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