[发明专利]沟槽栅及沟槽栅功率器件的制作方法有效
| 申请号： | 201910842552.X | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112466747B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 平延磊;黄文康;曾伟雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽栅及沟槽栅功率器件的制作方法，包括：1)提供一基底，于基底中形成沟槽；2)于沟槽中形成覆盖沟槽的上部的非保形衬垫层；3)于裸露的沟槽的下部及底部形成第一栅介质层；4)去除非保形衬垫层，裸露沟槽的上部；5)于裸露的沟槽的上部形成第二栅介质层，第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度；6)于沟槽中填充栅极层。本发明通过非保形衬垫使得沟槽内的栅介质层分别制备，沟槽下部的第一栅介质层首先通过氧化或原子层沉积控制其厚度，并在沟槽上部的第二栅介质层沉积时可同时增加第一栅介质层的厚度，可以有效降低栅极与漏极之间的电容，使QG参数明显减小，从而大大优化功率器件的品质因素。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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