[发明专利]一种硅晶圆制造方法及制造装置在审
| 申请号： | 201910842845.8 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110571172A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王振国 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明硅晶圆制造方法及制造装置，首先通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制备薄膜，通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；利用双面研磨装置研磨预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；将第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到硅晶圆。本发明硅晶圆制造方法对硅晶圆表面进行退火处理，使得硅晶圆表面慢慢释放应力，缓慢冷却得到接近平衡状态的稳定组织，从而减少硅晶圆表面的缺陷，减少表面缺陷对晶圆表面的电子元件功能的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 预制 加热 硅晶圆表面 上表面 双面研磨装置 第一加热器 加热器 表面缺陷 缓慢冷却 晶圆表面 平衡状态 退火处理 外延沉积 稳定组织 制造装置 研磨 倒角面 硅熔点 状构件 薄膜 从板 放入 制备 背面 制造 剥离 释放 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆制造方法，其特征在于，所述硅晶圆制造方法包括以下步骤：/n通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制备薄膜；/n通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，保持第一预设时间；/n通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，保持第二预设时间；/n以25℃/s-150℃/s的速度对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；/n利用双面研磨装置研磨所述预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；/n将所述第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将所述第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到所述硅晶圆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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