[发明专利]硅外延生长方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201910842905.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110544620A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 宋洋;马雁飞;叶康 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅外延生长方法及半导体结构，通过在侧墙侧的半导体衬底中形成开口，将所述开口作为硅生长窗口；在所述开口中进行硅外延生长工艺，形成硅外延层。使得在硅外延生长工艺时，硅外延层能够位于所述开口中，能够灵活的控制硅外延生长的厚度，从而给后续工艺提供更加宽的制程窗口；进一步的，由于硅外延层能够在所述开口中均匀生长，能够提供一定的拉应力或压应力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅外延 开口 硅外延层 生长 半导体结构 后续工艺 生长窗口 拉应力 灵活的 压应力 侧墙 衬底 制程 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种硅外延生长方法，其特征在于，所述硅外延生长的方法包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；/n在所述栅极结构侧形成侧墙；/n在所述侧墙侧的半导体衬底中形成开口，所述开口作为硅生长窗口；/n在所述开口中进行硅外延生长工艺，形成硅外延层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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