[发明专利]一种可集成功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可集成功率半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的纵向高压器件、第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件均采用介质隔离，第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件采用多沟道设计，第二高压pLDMOS器件采用单沟道设计，本发明提出一种部分埋氧的集成技术，采用离子注入等方式形成埋氧层，这种技术可集成横向高压器件、纵向高压器件以及低压器件，且无漏电流与串扰问题，相比横向高压器件而言，具有更低的导通电阻且占用更小的芯片面积。

主权项

1.一种可集成功率半导体器件，其特征在于：包括集成于同一芯片上的纵向高压器件(1)、第一高压pLDMOS器件(2)、高压nLDMOS器件(3)、第二高压pLDMOS器件(4)、低压NMOS器件(5)、低压PMOS器件(6)、低压NPN器件(7)和低压Diode器件(8)，所述第一高压pLDMOS器件(2)、高压nLDMOS器件(3)、第二高压pLDMOS器件(4)、低压NMOS器件(5)、低压PMOS器件(6)、低压NPN器件(7)和低压Diode器件(8)之间均采用介质隔离，实现高压器件和低压器件完全隔离，第一高压pLDMOS器件(2)、高压nLDMOS器件(3)采用多沟道设计，第二高压pLDMOS器件(4)采用单沟道设计；/n所述纵向高压器件(1)，包括衬底(000)，位于衬底(000)上方的第二导电类型外延层(201)，位于第二导电类型外延层(201)中且紧密相连的元胞区C