[发明专利]一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法

摘要

本发明提供一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法，涉及半导体制造技术领域。该定标方法包括：对InxGa1‑xP中的多个不同组分配比x分别进行定标生长，获取对应的多个第一参数；根据第一预定算法，得到x与第一参数之间的第一关系；对InAsyP1‑y中的多个不同组分配比y分别进行定标生长，获取对应的多个第二参数；根据第二预定算法，得到y与第二参数之间的第二关系；针对Inx，Ga1‑x’Asy，P1‑y’，根据第一和第二关系，确定对应的外延生长条件参数。通过分别对III族和V族元素的多个不同组分配比进行定标生长，获取对应的生长条件参数，以获得组分配比与生长条件参数之间的关系，针对Inx，Ga1‑x’Asy，P1‑y’，可根据所述关系直接确定外延生长条件参数，从而提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法，其特征在于，用于对InGaAsP四元系材料中的III族元素和V族元素的组分配比和生长条件进行定标，所述方法包括：/n对In_xGa_1-xP三元系材料中的III族元素的多个不同组分配比x分别进行定标生长，以获取对应的多个第一分子束外延生长条件参数；/n基于所述多个不同组分配比x和所述多个第一分子束外延生长条件参数，根据第一预定算法，得到所述多个不同组分配比x与所述多个第一分子束外延生长条件参数之间的第一关系；/n对InAs_yP_1-y三元系材料中的V族元素的多个不同组分配比y分别进行定标生长，以获取对应的多个第二分子束外延生长条件参数；/n基于所述多个不同组分配比y和所述多个第二分子束外延生长条件参数，根据第二预定算法，得到所述多个不同组分配比y与所述多个第二分子束外延生长条件参数之间的第二关系；/n针对预定组分配比的In_x’Ga_1-x’As_y’P_1-y’四元系材料，根据所述第一关系和所述第二关系，确定对应的分子束外延生长条件参数。/n