[发明专利]再分布基板、制造再分布基板的方法和半导体封装件在审
| 申请号： | 201910845973.8 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110896062A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 金钟润;李锡贤;裵珉准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种再分布基板、一种制造再分布基板的方法以及一种半导体封装件。所述方法包括：形成第一导电图案；在所述第一导电图案上形成第一光敏层，所述第一光敏层具有暴露所述第一导电图案的第一部分的第一通孔；在所述第一通孔中形成第一通路；去除所述第一光敏层；形成包封所述第一导电图案和所述第一通路的第一电介质层，所述第一电介质层暴露所述第一通路的顶表面；以及在所述第一通路的所述顶表面上形成第二导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 再分 布基板 制造 方法 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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