[发明专利]金属薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201910846918.0 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110699663B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 周烽;万先进;熊少游;左明光;李远;宋锐;李远博 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/56;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属薄膜沉积方法，包括如下步骤：1)提供需要沉积目标金属的薄膜的衬底；2)在所述衬底上通过目标金属的化合物的化学气相沉积过程形成由所述目标金属构成的薄膜，所述薄膜附着有在化学气相沉积过程中产生的副产物；3)采用等离子体处理所述薄膜以去除所述副产物；4)重复步骤2)至步骤3)，直至所述薄膜的厚度达到设定值。本发明通过采用目标金属的化合物的化学气相沉积过程在衬底表面形成目标金属薄膜，并采用等离子体处理副产物，从而减少了金属薄膜的氟含量，降低了金属层的电阻率，提高了半导体器件性能以及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)提供需要沉积目标金属的薄膜的衬底；/n2)在所述衬底上通过所述目标金属的化合物的化学气相沉积过程形成由所述目标金属构成的薄膜，所述薄膜附着有在化学气相沉积过程中产生的副产物；/n3)采用等离子体处理所述薄膜以去除所述副产物；/n4)重复步骤2)至步骤3)，直至所述薄膜的厚度达到设定值。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
