[发明专利]一种多尺寸栅极及其制造方法

摘要

本发明提供的一种多尺寸栅极及其制造方法，在多尺寸栅极的制造方法中，在形成图形化的栅极膜层时，以图形化的第一硬掩模层和图形化的第二硬掩模层为掩模，同时对第一区和第二区进行刻蚀工艺，使得整个刻蚀过程产生的聚合物的材料完全相同，因此，这些聚合物没有对后续形成的栅极的形貌造成影响，降低了工艺难度，提高了工艺稳定性。

主权项

1.一种多尺寸栅极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基底，所述基底包括第一区和第二区，所述基底上形成有栅极膜层、硅材料层和图形化的第一光刻胶层，图形化的所述第一光刻胶层在第一区具有第一图形，在第二区具有第二图形，所述第一图形具有第一开口，所述第二图形具有第二开口；/n以图形化的所述第一光刻胶层为掩模，刻蚀所述硅材料层，并将所述第一图形和第二图形复制至所述硅材料层中；/n在所述基底上形成第一硬掩模层，所述第一硬掩模层覆盖了所述硅材料层的表面，以及所述第一开口和第二开口的侧壁，再刻蚀所述硅材料层表面上的所述第一硬掩模层，以形成图形化的第一硬掩模层；/n在所述基底上形成图形化的第二光刻胶层，并以图形化的所述第二光刻胶层为掩模，刻蚀去除所述第二开口侧壁上的第一硬掩模层；/n在所述基底上形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层覆盖了所述硅材料层的表面，以及所述第一开口和第二开口的侧壁，再刻蚀所述硅材料层表面上的所述第二硬掩模层，以形成图形化的第二硬掩模层；以及/n以图形化的第一硬掩模层和图形化的第二硬掩模层为掩模，依次刻蚀所述硅材料层和栅极膜层，并停止在部分深度的所述栅极膜层中，以形成图形化的栅极膜层。/n