[发明专利]一种无定型硫化钼、无定型硫化钼/半导体复合薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910849264.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110527976B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 许元妹;王新;水玲玲;张小琴 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C28/04;B01J27/051;B01J37/02;B01J37/10;B01J37/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种无定型硫化钼、无定型硫化钼/半导体复合薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1：在衬底上制备得到半导体薄膜；S2：钼源置于高温区，控制反应温度为380～500℃；硫源置于低温区，控制反应温度为150～200℃；利用化学气相沉积法在S1的半导体薄膜上沉积，即得到所述无定型硫化钼。本发明采用化学气相沉积法在预先制备的半导体薄膜上可沉积无定型硫化钼材料，同时构筑成新型的由无定型硫化钼/半导体组成的光阳极复合薄膜，提高了硫化钼基催化剂的催化性能；本发明提供的制备方法成本低、易操作，效率提升效果好，具有较大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定型 硫化 半导体 复合 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种无定型硫化钼的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：在衬底上制备得到半导体薄膜；/nS2：钼源置于高温区，控制反应温度为380～500℃；硫源置于低温区，控制反应温度为150～200℃；利用化学气相沉积法在S1的半导体薄膜上沉积，即得到所述无定型硫化钼。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆市华师大光电产业研究院，未经肇庆市华师大光电产业研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910849264.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
