[发明专利]一种双极结型晶体管在审
| 申请号： | 201910850313.9 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110534565A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张有润;李坤林;王帅;钟炜;陈航;杨啸;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/267 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极结型晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明主要通过碳化硅和硅的键合，形成了两个异质结面，具体为，P型基区和N+发射区采用键合技术形成异质结，P型基区和N‑集电区采用键合技术形成异质结，异质发射结注入电子的效率很高，这是因为空穴的反向注入几乎完全被额外的一个空穴势垒所阻挡，从基区注入发射区的空穴扩散电流值极小，因此发射结的注入效率极高，极大的提高器件的电流增益。此外，由于本发明的集电区采用碳化硅材料，大部分电压降在集电结上，碳化硅的临界击穿电场是硅的10倍，因此极大的提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 空穴 键合技术 发射结 发射区 集电区 碳化硅 双极结型晶体管 高功率半导体 临界击穿电场 碳化硅材料 电流增益 击穿电压 空穴势垒 扩散电流 注入效率 电压降 集电结 基区 键合 异质 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种双极结型晶体管，包括集电极(8)、第一N+衬底(7)、N-集电区(6)、P型基区(9)、N+发射区(3)、第二N+衬底(2)、发射极(1)、第一基极(4)和第二基极(5)；/n所述集电极(8)、所述第一N+衬底(7)、所述N-集电区(6)和所述P型基区(9)从下至上依次层叠设置，所述N+发射区(3)位于所述P型基区(9)上，所述第二N+衬底(2)和所述发射极(1)依次位于所述N+发射区(3)上，所述第一基极(4)和所述第二基极(5)分别位于所述N+发射区(3)的两侧，且位于所述P型基区(9)上；/n其特征在于，所述第一N+衬底(7)和所述N-集电区(6)为碳化硅材料，所述P型基区(9)为硅材料，所述N+发射区(3)和所述第二N+衬底(2)为碳化硅材料，所述N-集电区(6)和所述P型基区(9)通过键合技术形成异质结，所述P型基区(9)和所述N+发射区(3)通过键合技术形成异质结。/n
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