[发明专利]一种具有低晶格热导率的高熵Half-Heusler热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910850656.5 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110592459B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 康慧君;王同敏;杨雄;陈宗宁;郭恩宇;李廷举;曹志强;卢一平;接金川;张宇博 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C22C30/04 | 分类号： | C22C30/04;B22F3/105;B22F9/04;C22C1/04;H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料及其制备方法。所述具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料的通式为Zr |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 热导率 half heusler 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有低晶格热导率的高熵Half-Heusler热电材料，其特征在于，通式为Zr
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