[发明专利]一种InAlN/GaN HEMT的结温测试方法在审
| 申请号： | 201910851323.4 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110579698A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 闫大为;陈雷雷;金宁;顾晓峰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InAlN/GaN HEMTs的结温测试方法，属于半导体器件测试技术领域。本发明通过选取栅极下方的沟道电阻R | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶格匹配 测量 异质结 结温 半导体器件测试 可靠性测试 测试 沟道电阻 温度测量 有效地 温敏 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种晶格匹配InAlN/GaN异质结HEMT的结温测试方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤11，在恒定栅极电压条件下，测量源漏间变温I-V曲线；/n步骤12，通过步骤11中的变温I-V曲线，求出不同温度下的线性区电阻R
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