[发明专利]一种实现电磁屏蔽的SIP封装方法在审
| 申请号： | 201910851768.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110634849A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 姜显扬;陈木市;王德富;徐欣 | 申请（专利权）人： | 苏州中科安源信息技术有限公司;杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/60;H01L21/56;H01L23/48 |
| 代理公司： | 33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市吴中区苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现电磁屏蔽的SIP封装方法。传统采用表面金属化防辐射干扰，增加了模块连接的尺寸。本发明方法首先对SIP模块中的MCU芯片和Flash存储芯片的上下表面使用吸收材料进行全表面涂抹，形成屏蔽层，采用的吸收材料为石墨烯。采用上下叠层的封装方法，将MCU芯片和Flash存储芯片采用SPI总线连接，进行相互通信。然后通过正向键合方式将MCU芯片与基板连接，通过反向键合方式将Flash存储芯片与基板连接。本发明方法可以有效吸收电磁波，减少渗透到芯片中的电磁场，进而提高信号的传输质量以及减少EMI问题。引线采用反向的方式键合，能够有效减少堆叠封装的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 基板连接 吸收材料 封装 表面金属化 电磁屏蔽 堆叠封装 反向键合 方式键合 键合方式 模块连接 上下表面 有效减少 有效吸收 电磁场 电磁波 防辐射 屏蔽层 全表面 石墨烯 叠层 正向 涂抹 芯片 传输 通信 | ||
【主权项】：
1.一种实现电磁屏蔽的SIP封装方法，其特征在于：/n首先对SIP模块中的MCU芯片和Flash存储芯片的上下表面使用吸收材料进行全表面涂抹，形成屏蔽层，MCU芯片和Flash存储芯片的边缘引脚处不进行涂抹；所述的吸收材料为石墨烯；/n涂抹的吸收材料干燥后，将MCU芯片置于Flash存储芯片下方，并在MCU芯片和Flash存储芯片之间涂抹粘结剂，然后将MCU芯片和Flash存储芯片采用SPI总线连接，进行相互通信；/n将连接后的MCU芯片和Flash存储芯片置于基板上；通过正向键合方式将MCU芯片与基板连接，引线从MCU芯片键合到基板；通过反向键合方式将Flash存储芯片与基板连接，引线从基板键合到Flash储存芯片。/n
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