[发明专利]一种多硅羟基POSS的合成方法有效
申请号: | 201910854383.1 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110483777B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 刘丽;许耀元;黄玉东;钟正祥;龙军;张润泽;王昱璎 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C08G77/04 | 分类号: | C08G77/04;C08G77/08 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: |
一种多硅羟基POSS的合成方法,属于POSS制备技术领域。所述方法步骤如下:步骤一:将甲醇溶液和四丙氧基硅烷混合;步骤二:加入四甲/乙基氢氧化铵作为催化剂,20℃~40℃水解缩合24~36h;步骤三:混合液旋蒸浓缩得到粘稠态透明液体,3~5次水洗,除去多余的催化剂,即得到多硅羟基POSS。本发明合成了长久以来国内外未有涉猎的多硅羟基POSS,一步法直接合成多硅羟基POSS,合成方法简单易操作,且产物后处理简单。直接使用四丙氧基硅烷一步合成多硅羟基POSS。使用Et |
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搜索关键词: | 一种 羟基 poss 合成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多硅羟基POSS的合成方法,其特征在于:所述方法步骤如下:/n步骤一:将甲醇溶液和四丙氧基硅烷混合;/n步骤二:加入四甲/乙基氢氧化铵作为催化剂,20℃~40℃水解缩合24~36h;/n步骤三:混合液旋蒸浓缩得到粘稠态透明液体,3~5次水洗,除去多余的催化剂,即得到多硅羟基POSS。/n
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