[发明专利]一种多硅羟基POSS的合成方法有效

专利信息
申请号: 201910854383.1 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN110483777B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 刘丽;许耀元;黄玉东;钟正祥;龙军;张润泽;王昱璎 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C08G77/04 分类号: C08G77/04;C08G77/08
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种多硅羟基POSS的合成方法,属于POSS制备技术领域。所述方法步骤如下:步骤一:将甲醇溶液和四丙氧基硅烷混合;步骤二:加入四甲/乙基氢氧化铵作为催化剂,20℃~40℃水解缩合24~36h;步骤三:混合液旋蒸浓缩得到粘稠态透明液体,3~5次水洗,除去多余的催化剂,即得到多硅羟基POSS。本发明合成了长久以来国内外未有涉猎的多硅羟基POSS,一步法直接合成多硅羟基POSS,合成方法简单易操作,且产物后处理简单。直接使用四丙氧基硅烷一步合成多硅羟基POSS。使用Et4NOH/Me4NOH作为催化剂,低温合成多硅羟基POSS,操作简单且合成条件温和。本发明合成多硅羟基POSS,产率高且耗时短。
搜索关键词: 一种 羟基 poss 合成 方法
【主权项】:
1.一种多硅羟基POSS的合成方法,其特征在于:所述方法步骤如下:/n步骤一:将甲醇溶液和四丙氧基硅烷混合;/n步骤二:加入四甲/乙基氢氧化铵作为催化剂,20℃~40℃水解缩合24~36h;/n步骤三:混合液旋蒸浓缩得到粘稠态透明液体,3~5次水洗,除去多余的催化剂,即得到多硅羟基POSS。/n
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