[发明专利]具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制造方法

摘要

一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制作方法，存储器包括多层结构、长形插塞结构、第一导体插塞与第二导体插塞。多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上。所述多层结构中具有贯穿所述多层结构的孔洞。所述孔洞的截面具有长形轮廓，所述长形轮廓具有长度不同的长边与短边。长形插塞结构配置于所述孔洞中，其中所述长形插塞结构的截面具有所述长形轮廓。所述长形插塞结构包括绝缘柱、通道层与栅介电层。通道层环绕所述绝缘柱。栅介电层环绕所述通道层。栅极层环绕所述栅介电层。第一导体插塞设置于所述通道层与所述基底之间以及与所述绝缘柱与所述基底之间。第二导体插塞设置于所述绝缘柱上，且被所述通道层包覆。