[发明专利]一种测量铁电薄膜负电容的方法有效
| 申请号： | 201910855628.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110609222B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 肖永光;谭逢前;燕罗;唐明华 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/26;H01L21/66;H01L49/02 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤：①通过脉冲激光沉积方法，制备不同厚度铪锆摩尔比为1：1的HZO铁电薄膜；②对HZO铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析不同厚度HZO铁电薄膜的退极化电场随外加电压的变化，获得一种测量HZO铁电薄膜负电容的方法。本发明能够有效地判断铁电薄膜在外电场作用下是否呈现出负电容效应，如果硅表面电势和沟道电流出现陡增的现象，则表明该结构中存在铁电薄膜负电容效应，现象越明显，表明负电容效应越强，从而器件的亚阈值特性越好，本发明对超低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有很好的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 薄膜 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量HZO铁电薄膜负电容的方法，其特征在于，利用不同厚度的HZO靶材制备HZO铁电薄膜电容器，所述的HZO铁电薄膜电容器的制备包括采用脉冲激光沉积法对HZO靶材进行溅射，在TiN导电介质/硅衬底结构上沉积HZO薄膜，HZO靶材的铪锆摩尔比为1：1，测试所获得的不同厚度的铁电薄膜的退极化电场随外加电场的变化情况，如果硅表面电势和沟道电流出现陡增的现象，则表明该结构中存在铁电薄膜负电容效应，现象越明显，表明负电容效应越强，从而器件的亚阈值特性越好。/n
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